机译:辐照度高达$ 10 ^ {16} n / cm ^ {2} $时中子辐照硅探测器的电流-电压和阻抗特性
机译:中子和质子注量非常高的硅探测器的电特性和电荷收集效率
机译:质子辐照后高达1×10〜(16)n_(eq)cm〜2的不同厚度的分段硅探测器的效率提高
机译:离子和质子辐照后平面硅探测器的收集电荷高达2.2×10〜(16)n_(eq)cm〜(-2)
机译:质子辐照后,n /侧硅微带检测器中MIP的脉冲高度为1 / spl次/ 10 / sup 15 / p cm / sup -2 /
机译:快中子辐照硅正P-N-正N二极管电容特性的深陷阱模型的建立。
机译:能量为1 keV至10 MeV的中子辐照从聚乙烯转化器出来的质子的特性
机译:增益和时间分辨率为45美元/微米薄的低增益雪崩探测器 在照射之前和之后达到$ 10 ^ {15} $ n $ _ {eq} $ / cm $ ^ 2 $的通量